真空泵在半导体制造中的关键作用

真空泵是半导体制造的 “心脏” 设备，在晶圆制造各环节不可或缺。光刻工序中，干式真空泵（抽速达 3000m³/h）将光刻腔室压力控制在 10⁻⁵Pa，确保光刻胶均匀涂布和紫外线精准曝光，某晶圆厂采用该真空泵后，光刻图案线宽误差控制在 ±1nm。

刻蚀工艺依赖真空泵创造高真空环境（10⁻⁷Pa），分子泵通过高速旋转（24000 转 / 分钟）排出反应气体，避免杂质污染刻蚀表面，某 12 英寸晶圆厂的刻蚀机配备磁悬浮分子泵，使刻蚀速率稳定性提升 20%。

薄膜沉积（PVD/CVD）过程中，真空泵需快速抽除未反应的金属原子或气体，罗茨泵与涡旋泵组合可实现从大气压到 10⁻³Pa 的快速过渡（抽气时间 < 30 秒），保障薄膜厚度均匀性。此外，真空泵的无油设计（如干式螺杆泵）避免了油蒸气污染晶圆，某芯片制造商因使用含油真空泵，导致芯片良率下降 5%，更换无油真空泵后良率恢复至 98%。